收集一：
一.填空
1.集成電路的分類，按材料，工藝
2.集成電阻的計(jì)算，以及其制造工藝
3.vtp，vtn的正負(fù)判斷，分別對(duì)于增強(qiáng)型和耗盡型
4.cmos電路功耗包括哪兩個(gè)部分，功耗設(shè)計(jì)主要考慮的因素
……(還有幾道不記得了)
二.填表
全定制，門陣列，fpga各自單元模塊，連線的性質(zhì)……
三.填圖
cmos工藝流程填圖畫圖
四.問(wèn)答
1.cmos單元負(fù)載較大的電容時(shí)，只有提高w，這樣會(huì)使w*l增加，相對(duì)前級(jí)又時(shí)一個(gè)大電容，如何解決這一矛盾?
2.結(jié)合軟件談?wù)勅ㄖ萍呻娐吩O(shè)計(jì)流程
3.談?wù)剬?duì)layout設(shè)計(jì)的看法
五.翻版圖或者畫版圖，選一
第二卷
1.什么是格雷碼?
2.nyquist采樣定例
3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功
4.運(yùn)算放大器1，…………2，有幾級(jí)，各級(jí)之間耦合方式有幾種，分析各種的優(yōu)劣。
收集二：1.畫出nmos的特性曲線(指明飽和區(qū)，截至區(qū)，線性區(qū)，擊穿區(qū)和c-v曲線)
2.2.2um工藝下，kn=3kp，設(shè)計(jì)一個(gè)反相器，說(shuō)出器件尺寸。
3.說(shuō)出制作n-well的工藝流程。
4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機(jī)理和區(qū)別。
5.用cmos畫一個(gè)d觸發(fā)器(clk，d，q，q-)