微電子學專業(yè)論文提綱
微電子技術(shù)包括系統(tǒng)電路設(shè)計、器件物理、工藝技術(shù)、材料制備、自動測試以及封裝、組裝等一系列專門的技術(shù)，微電子技術(shù)是微電子學中的各項工藝技術(shù)的總和。下面是小編整理的微電子學專業(yè)論文提綱，歡迎閱讀!
摘要：現(xiàn)今社會信息的爆炸性增加必定促使光收集的向更高速、更年夜容量偏向成長。跟著光纖通訊技巧的成長和密集波分復用(DWDM)體系的運用，全光交流曾經(jīng)成為以后光收集的成長趨向。全光交流的完成重要依附于光開關(guān)和相干器件等體系的成長。光開關(guān)是完成全關(guān)交流的癥結(jié)器件。今朝所應(yīng)用的傳統(tǒng)型MEMS光開關(guān)、熱光開光、液晶光開光的開關(guān)速度都為ms量級，根本上達不到光交流的請求，別的傳統(tǒng)的電光開光有著很高的偏振敏理性，異樣很難到達光交流的請求。而光掌握光開關(guān)的開光速度可以到達ps量級，而且對偏振的敏理性不高，經(jīng)由過程對開關(guān)構(gòu)造的設(shè)計和優(yōu)化，其機能目標也能夠到達適用請求，是以對光控型光開關(guān)的研討具有現(xiàn)實的實際意義和運用價值。本文經(jīng)由過程樹立光生載流子影響半導體折射率變更的模子，來深刻研討光控型光開關(guān)任務(wù)的內(nèi)涵機理。該實際模子分離針對穩(wěn)態(tài)情形和瞬態(tài)情形做了響應(yīng)商量。在與試驗成果停止對比后，證實了該實際模子的準確性。別的，本文還在后人的研討基本上，應(yīng)用BPM法對全光開關(guān)器件(Y分叉全內(nèi)反射全光開關(guān)、X結(jié)全光開關(guān)等)停止了設(shè)計和改良，并到達了很好的模仿設(shè)計成果。在器件制造進程中，本文彩用了反刻法(一種微電子制造工藝)來制造詳細光波導器件。最初，本文還樹立了一套輕便但卻絕對適用的測試體系。應(yīng)用紅外攝像機收集器件的近場輸入光斑，再經(jīng)由圖象亮度收集及數(shù)據(jù)擬合剖析，以此來丈量消光比等器件機能參數(shù)。該體系同時經(jīng)由過程采取帶尾纖的激光器年夜年夜簡化了光注入的掌握操作。今朝該測試體系曾經(jīng)具有器件通光及其他機能的測試和剖析才能。到今朝為止，本文已制造出1×2非對稱Y分叉全內(nèi)反射全光開關(guān)。經(jīng)初步測試，反射真?zhèn)�消光比至多到達18dB以上，縱貫真?zhèn)�消光比可以到達8dB。在其他構(gòu)造方面，耦合型構(gòu)造及M一Z型構(gòu)造的初步測試成果也都曾經(jīng)出來了。
第一章緒論 9-27
1.1引言 9-11
1.2光開關(guān)的.主要應(yīng)用領(lǐng)域: 11-13
1.3光開關(guān)的研究方法及其目標 13
1.4光開關(guān)的研究現(xiàn)狀 13-24
1.4.1常用光開關(guān)類型及特點 13-18
1.4.2皮秒級光控光開關(guān)的研究進展 18-24
1.5本研究的目的和內(nèi)容 24
參考文獻 24-27
第二章半導體光致折射率研究 27-38
2.1、引言 27
2.2、光生載流子影響折射率變化模型 27-30
2.2.1、自由載流子吸收效應(yīng) 28
2.2.2、帶填充效應(yīng) 28-29
2.2.3、最終模型 29-30
2.3、穩(wěn)態(tài)光注入下的光致折變模型 30-33
2.3.1、穩(wěn)態(tài)光注入模型 30-31
2.3.2、折射率變化的空間分布 31-32
2.3.3、折射率變化的時間響應(yīng) 32-33
2.4、瞬態(tài)(高斯光)注入下的光致折變模型 33-37
2.4.1、瞬態(tài)(高斯光)注入模型 33-35
2.4.2、折射率變化的計算及分析 35-37
參考文獻 37-38
第三章光控型全光開關(guān)設(shè)計 38-49
3.1、引言 38
3.2、全內(nèi)反射原理 38-39
3.3、非對稱Y分叉全內(nèi)反射型全光開關(guān) 39-43
3.3.1傳統(tǒng)Y分叉的分析 39-40
3.3.2展寬Y分叉參數(shù)分析 40-42
3.3.3器件最終設(shè)計 42-43
3.4、光注入X結(jié)GAAS全光開關(guān)的設(shè)計 43-46
3.4.1器件原理 43-44
3.4.2器件設(shè)計及模擬 44-46
3.5、其他結(jié)構(gòu)的光控型器件設(shè)計 46-48
3.5.1耦合型光控器件的簡單設(shè)計 46-47
3.5.2BOA型光開關(guān)器件的簡單設(shè)計 47-48
參考文獻 48-49
第四章器件制作工藝研究 49-68
4.1、材料選擇與制備 49-52
4.1.1、MOVPE生長GaAs等材料的反應(yīng)機理 49-50
4.1.2、MOVPE生長GaAs及其影響因素 50-52
4.2、晶片拋光及清晰 52-55
4.2.1拋光 52-53
4.2.2清洗 53-55
4.3、蒸鋁及光刻工藝 55-62
4.3.1蒸鋁 55-56
4.3.2光刻 56-62
4.4、具體制作流程及相關(guān)工藝參數(shù) 62-67
4.4.1GaAs晶片消洗 62-63
4.4.2器件制作方法 63-64
4.4.3工藝流程及工藝參數(shù) 64-67
參考文獻 67-68
第五章器件的測試及其結(jié)果 68-76
5.1、引言 68
5.2、測試系統(tǒng)的建立 68-69
5.3、測試結(jié)果及性能分析 69-75
5.3.1非對稱Y分叉全內(nèi)反射型全光開關(guān)性能分析 69-70
5.3.2耦合型全光開關(guān) 70-72
5.3.3M-Z結(jié)構(gòu)光注入實驗 72-75
參考文獻 75-76
第六章總結(jié)與展望 76-84
6.1、總結(jié) 76-79
6.1.1理論模型 76-78
6.1.2器件設(shè)計與制作 78-79
6.1.3測試系統(tǒng) 79
6.2展望 79-83
參考文獻 83-84
致謝 84-85